以下表格式SDRAM,DDR1,DDR2,DDR3,DDR4的引脚定义表。是按照做等长组做分类。
| 代际 | 时钟组 | 地址/控制组 | 数据组(按字节通道) | 特殊引脚 |
|---|---|---|---|---|
| SDRAM | CLK | A0-A12, BA0-BA1, CS#, RAS#, CAS#, WE#, CKE | DQ0-DQ7 + LDQM(字节0);DQ8-DQ15 + UDQM(字节1) | — |
| DDR1 | CK, CK# | A0-A12, BA0-BA1, CS#, RAS#, CAS#, WE#, CKE | DQ0-DQ7 + DQS0 + DM0(字节0);DQ8-DQ15 + DQS1 + DM1(字节1) | — |
| DDR2 | CK, CK# | A0-A12, BA0-BA1, CS#, RAS#, CAS#, WE#, CKE, ODT | DQ0-DQ7 + DQS0 + DQS0# + DM0(字节0);DQ8-DQ15 + DQS1 + DQS1# + DM1(字节1) | RDQS/RDQS#(仅x8颗粒,可选,与DM复用) |
| DDR3 | CK, CK# | A0-A14, BA0-BA2, CS#, RAS#, CAS#, WE#, CKE, ODT, RESET# | DQ0-DQ7 + DQS0 + DQS0# + DM0(字节0);DQ8-DQ15 + DQS1 + DQS1# + DM1(字节1) | TDQS/TDQS#(仅x8颗粒,与DM复用,仅提供ODT端接功能) |
| DDR4 | CK, CK# | A0-A16, BA0-BA1(或BG0-BG1), CS#, RAS#, CAS#, WE#, CKE, ODT, RESET#, ACT# | DQ0-DQ7 + DQS0 + DQS0# + DM0/DBI0(字节0);DQ8-DQ15 + DQS1 + DQS1# + DM1/DBI1(字节1) | 新增ACT#(激活命令)、PAR(校验)、ALERT#(错误报告) |
关于RDQS/TDQS的说明:
DDR2 RDQS/RDQS#:属于数据组,功能是冗余数据选通,读操作时可替代DQS采样数据。仅x8颗粒支持,启用后DM功能失效。
DDR3 TDQS/TDQS#:属于数据组,功能是仅提供终端电阻(ODT),不具备数据选通能力。仅x8颗粒支持,启用后DM功能失效。它的作用是模拟x4颗粒端接环境,用于兼容系统设计。
数据组(DQ Group):以8位数据线(DQx)为一个字节通道,包含对应的DQS/DQS#(差分对)和DM(数据屏蔽)信号。每组在组内严格等长。
地址/控制组(Address/Command Group):包含所有地址线(A)、Bank地址(BA)、片选(CS#)、行/列选通(RAS#/CAS#)、写使能(WE#)、时钟使能(CKE)、ODT等。整组相对于时钟组做等长。
时钟组(Clock Group):差分对CK/CK#,是地址/控制组的长度基准。
组间关系:数据组与地址/控制组之间通常不需要严格等长,但需控制总长度差在一定范围内(通常≤500-1000mil)。
| 信号组 | 基准信号 | 组内等长误差 | 差分对内误差 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 数据组(每字节通道) | 本组DQS | ±25mil(DDR2/DDR3/DDR4高速); ±50mil(SDR/DDR1低速) | ±5mil | 越高频率越严格,DDR3/DDR4建议±25mil内 |
| 地址/控制组 | CK/CK# | ±100mil | — | 相对于时钟组做等长 |
| 时钟组 | — | 对内差分等长 | ±5mil | — |
| 数据组与地址组组间 | — | ≤500mil(推荐);≤1000mil(极限) | — | 组间无严格等长要求,但需控制总长度差 |
1)SDR SDRAM:地址/控制线与时钟线等长,误差±100mil;数据线每组内误差±50mil。组间无明显等长要求。
2)DDR1/DDR2:数据组以DQS为基准等长,地址/控制组以CK为基准等长。DDR2新增ODT引脚,归入控制组。
3)DDR3/DDR4:频率更高,数据组内误差收紧至±25mil;地址/控制组沿用±100mil。DDR4新增ACT#、PAR等信号,同样归入地址/控制组。
4)Fly-by拓扑(DDR3/DDR4):地址/控制/时钟采用Fly-by链式结构,需要控制器支持Write Leveling校准,等长规则需结合主控要求
本文作者:ZeroEngineer
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